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Fairchild/ON Semiconductor FQPF10N60C
| Artikelnummer: | FQPF10N60C |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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- Versandinformationen
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-
Fairchild/ON Semiconductor FQPF10N60C Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQPF10N60C.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220F Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 730 mOhm @ 4.75A, 10V Verlustleistung (max) 50W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9.5A (Tc) FQPF10N60C Einzelheiten PDF [English] FQPF10N60C PDF - EN.pdf -
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